| Varenummer : | 1N8028-GA |
|---|---|
| Producent / Mærke : | GeneSiC Semiconductor |
| Beskrivelse : | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| RoHs Status : | Indeholder bly / RoHS ikke-kompatibel |
| Mængde Tilgængelig | 211 pcs |
| Dataark | 1N8028-GA.pdf |
| Spænding - Peak Reverse (Max) | Silicon Carbide Schottky |
| Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis | 9.4A (DC) |
| Spænding - Opdeling | TO-257 |
| Serie | - |
| RoHS Status | Tube |
| Reverse Recovery Time (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Modstand @ Hvis, F | 884pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisering | TO-257-3 |
| Andre navne | 1242-1115 1N8028GA |
| Driftstemperatur - Junction | 0ns |
| Monteringstype | Through Hole |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Fabrikantens standard ledetid | 18 Weeks |
| Producentens varenummer | 1N8028-GA |
| Udvidet beskrivelse | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
| Diode Konfiguration | 20µA @ 1200V |
| Beskrivelse | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| Nuværende - Reverse Lækage @ Vr | 1.6V @ 10A |
| Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) (pr. Diode) | 1200V (1.2kV) |
| Kapacitans @ Vr, F | -55°C ~ 250°C |
GeneSiC Semiconductor
