Varenummer : | 2SK3666-3-TB-E |
---|---|
Producent / Mærke : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Beskrivelse : | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP |
RoHs Status : | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Mængde Tilgængelig | 301721 pcs |
Dataark | 2SK3666-3-TB-E.pdf |
Spænding - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
Leverandør Device Package | 3-CP |
Serie | - |
Modstand - RDS (Til) | 200 Ohms |
Strøm - Max | 200mW |
Emballage | Cut Tape (CT) |
Pakke / tilfælde | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andre navne | 869-1107-1 |
Driftstemperatur | 150°C (TJ) |
Monteringstype | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid | 4 Weeks |
Blyfri Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Afløb til Source Voltage (VDSS) | 30V |
Detaljeret beskrivelse | JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP |
Nuværende afløb (Id) - Max | 10mA |
Nuværende - Afløb (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
Basenummer | 2SK3666 |