| Varenummer : | SI8261BAD-C-ISR |
|---|---|
| Producent / Mærke : | Energy Micro (Silicon Labs) |
| Beskrivelse : | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP |
| RoHs Status : | Blyfri / RoHS-kompatibel |
| Mængde Tilgængelig | 22040 pcs |
| Dataark | SI8261BAD-C-ISR.pdf |
| Spænding - Supply | 6.5 V ~ 30 V |
| Spænding - Isolering | 5000Vrms |
| Spænding - Videresend (Vf) (Typ) | 2.8V (Max) |
| Teknologi | Capacitive Coupling |
| Leverandør Device Package | 6-SDIP |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Stigning / Falltid (Typ) | 5.5ns, 8.5ns |
| Pulsbreddeforvrængning (Max) | 28ns |
| Forplantningsforsinkelse tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 50ns |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfælde | 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Andre navne | 336-5207-2 SI8261BAD-C-ISR-ND |
| Driftstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Antal kanaler | 1 |
| Monteringstype | Surface Mount |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Fabrikantens standard ledetid | 6 Weeks |
| Blyfri Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Detaljeret beskrivelse | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP |
| Nuværende - Peak Output | 4A |
| Nuværende - Output High, Low | 500mA, 1.2A |
| Nuværende - DC Forward (If) (Max) | 30mA |
| Common Mode Transient Immunity (Min) | 35kV/µs |
| Godkendelser | CQC, CSA, UR, VDE |
Energy Micro (Silicon Labs)
