Velkommen til www.icgogogo.com

Vælg sprog

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Hvis det sprog, du har brug for, ikke er tilgængeligt, bedes du have " Kontakt kundeservice "

RN1910,LF(CT

Varenummer : RN1910,LF(CT
Producent / Mærke : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
RoHs Status : Blyfri / RoHS-kompatibel
Mængde Tilgængelig 646379 pcs
Dataark RN1910,LF(CT.pdf
Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) 50V
Vce Mætning (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leverandør Device Package US6
Serie -
Modstand - Emitterbase (R2) -
Modstand - Base (R1) 4.7 kOhms
Strøm - Max 100mW
Emballage Original-Reel®
Pakke / tilfælde 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andre navne RN1910(T5LFT)DKR
RN1910(T5LFT)DKR-ND
RN1910LF(CTDKR
Monteringstype Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid 10 Weeks
Blyfri Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frekvens - Overgang 250MHz
Detaljeret beskrivelse Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Nuværende - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Nuværende - Samler (Ic) (Max) 100mA
RN1910,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Billeder er kun til reference. Se produktspecifikationer for produktdetaljer.
Køb RN1910,LF(CT med tillid fra {Definer: Sys_Domain}, 1 års garanti
Indsend en -anmodning om citat om mængder større end dem, der vises.
Målpris (USD):
Antal:
i alt:
$US 0.00

Relaterede produkter

Leveringsproces